导读:本文采用等通道角压(ECAP)工艺获得细晶镁钆银合金,并通过随后的峰值时效实现嵌入细晶基体中的分层析出物。这些分级析出物由β相亚微粒、β相纳米粒子、γ“相纳米片和β‘相纳米片组成。由于微电偶腐蚀,它们在一定程度上促进了3.5 wt% NaCl溶液中的腐蚀。然而,与铸态合金中的析出物相比,分层析出物的空间重新分布提高了材料的耐腐蚀性能,这可能是由于形成了保护性腐蚀产物膜。
在3.5wt%NaCl溶液中研究了具有高强度-延展性协同作用的细晶粒Mg-6Gd-2Ag(wt%)合金的微观结构和腐蚀行为,并与铸态合金进行了比较。得出以下结论:(1)ECAP工艺在Mg-Gd-Ag合金中诱导出细晶结构,随后的时效带出嵌入细晶基体中的分层析出物,其由β相亚微粒、β相纳米粒子、γ”相纳米片和β’相纳米片组成。
(2)ECAP GQ62的强度和延展性是AC GQ62的两倍以上。虽然延展性略有牺牲,但ECAP&A GQ62由于Orowan强化效应的分层析出物,进一步提高了强度。
相关研究以题“Effect of hierarchical precipitates on corrosion behavior of fine-grain magnesium-gadolinium-silver alloy”发表在Corrosion Science上。
链接: https://doi.org/10.1016/j.corsci.2021.109924
图1 AC GQ62的显微结构:(a,b)SEM图像和(c,d)BF-TEM图像(a,c)低倍率和(b,d)高倍率。
图2(a,b)ECAP GQ62和(c,d)ECAP&A GQ62的EBSD结果。(a,c)反极图(IPF)和(b,d)晶粒尺寸统计。
图3(a,c)ECAP GQ62和(b,d)ECAP&A GQ62在(a,b)低倍率和(c,d)高倍率下的SEM图像。
图4 (a)ECAP GQ62和(bd)ECAP&A GQ62的BF-TEM图像。BF-TEM图像显示ECAP&A GQ62的(c)晶粒内部和(d)晶界。
图5 ECAP&A GQ62析出物微观结构的HAADF-STEM图像:(a)低倍率。(b,c)晶粒内部析出物的高放大倍数。(d,e)晶界处析出物的高放大倍数。(f)晶界附近析出物的高放大倍数。图(f)中大颗粒和α-Mg的高分辨率TEM图像和FFT图像显示在图(g)中。
图6 加工过程中微观结构演变的示意图。
图7 (a)拉伸应力-应变曲线。(b)比较所有研究合金的机械性能的示意图。
图8 氢的演变。
图9 质量损失率。
图10 所有研究合金在浸泡24小时后的动电位极化曲线。
图11 (a,d,g,j)波德阻抗图,(b,e,h,k)波德相位角图,和(c,f,i,l)所有研究合金在浸入(ac)2小时、(df)6小时、(gi)12小时和(jl)24小时后的奈奎斯特图。
(3)电化学腐蚀、质量损失和析氢测量一致表明,ECAP GQ62的耐腐蚀性最好,其次是ECAP&A GQ62,而AC GQ62的耐腐蚀性最差。分层沉淀有助于长时间浸泡形成相对完整的腐蚀产物膜,但由于微电偶腐蚀,它们可以在一定程度上加速腐蚀,使ECAP&A GQ62具有比AC GQ62更好的防腐性能。这一发现为通过分层沉淀微观结构设计高强度、良好延展性和耐腐蚀镁合金打开了一扇新窗口。
图12 (a)ECAP GQ62和ECAP&A GQ62和(b)AC GQ62的等效电路。
图13 (a-d)AC GQ62,(e-h)ECAP GQ62和(i-l)ECAP&A GQ62(a,b,e,f,i,j)的表面形貌和(c,d,g,h,k,l)没有腐蚀浸泡2小时后的样品。(a、c、e、g、i、k)光学图像和(b、d、f、h、j、l)SEM图像。
图14 (a-d)AC GQ62,(e-h)ECAP GQ62和(i-l)ECAP&A GQ62(a,b,e,f,i,j)的表面形貌和(c,d,g,h,k,l)无腐蚀浸泡24小时后的样品。(a、c、e、g、i、k)光学图像和(b、d、f、h、j、l)SEM图像。
图15 (a)腐蚀产物的XPS测量光谱。(b,e)AC GQ62、(c,f)ECAP GQ62和(d,g)ECAP&A GQ62的(b-d)Mg 1 s和(e-g)Gd 4d的高分辨率XPS。
图16 腐蚀产物的XRD图谱。
图17 (a)BF-TEM图像和(bd)SSGQ62的相应EDS图。(e)图(a)中颗粒的SAED图案。(f)SSGQ62浸泡24小时后的动电位极化曲线和(g)Ecorr和Icorr。ECAP GQ62的相关数据也显示在面板(f)和(g)中以进行比较。
图18 (a)ECAP&A GQ62的HAADF-STEM图像和相应的EDS图。ECAP&A GQ62晶界附近的(b)晶界和(c)β相纳米颗粒的线扫描。
图19 (a)AC GQ62、(b)ECAP GQ62和(c)ECAP&A GQ62浸泡24小时后的SEM横截面图像和相应的EDS图。
图20 将ECAP&A GQ62浸入3.5wt%NaCl溶液30秒后的TEM图:(a)β粒子的HAADF-STEM图像和(be)相应的EDS图;(f,g)(f)晶界和(g)晶粒内部的HAADF-STEM图像
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