博士后招聘方向
1.理论:功能半导体材料的密度泛函理论计算
2.实验:新型非易失存储器、忆阻器、神经形态器件(包括二维器件)等半导体微纳电子器件的制备、测试和表征
课题组和导师简介:
课题组2017年2月成立,围绕新型半导体信息器件和材料,开展实验和理论研究。自有研究条件包括DFT计算软件CASTEP、VASP、ATK,计算服务器清华超算、无锡超算、UK超算,薄膜生长设备磁控溅射仪、脉冲激光沉积系统,器件测试平台半导体参数分析仪、探针台,材料表征设备原子力显微镜。学校拥有微纳加工公共平台。课题组于2018年11月在神经形态器件方面取得重要进展。
(https://doi.org/10.1002/adma.201805769)
课题组PI李黄龙助理教授,2014年取得剑桥大学电子工程博士学位、2010年取得北京大学物理本科学位。
博士后创新人才支持计划(2019年2月25日截止):
要求1987年1月1日后出生,取得博士学位3年内,优先2019年应届博士毕业生。国家资助每人两年共60万元,其中40万元为博士后日常经费,20万元为博士后科学基金;学校额外资助每人两年共10万元博士后日常经费。
此外,按照现行政策,出站后可解决本人、配偶和子女北京户口。
计划每年招聘人数(常年):
博士后:1-2名,每个方向一名
招聘要求:
精通所应聘的研究方向所需实验工具,有较强的沟通、理解、英文写作能力,近2-3年以第一作者发表过大类领域的高影响力文章,可独立开展课题。
应聘方法:
发送简历至 li_huanglong@tsinghua.edu.cn
注明“博士后应聘”。
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