重磅！世界排名第一的材料科学家王中林院士离美全职归国
2024-09-27 16:05:51
作者：材料学网 来源：材料学网
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香港英文媒体《南华早报》9月24日披露，一位被誉为“纳米发电机之父”的顶尖华裔科学家结束了在美国数十年的职业生涯，回到他的祖国中国开展纳米科学和纳米技术相关研究。王中林 中国科学院北京纳米能源与系统研究所官网照片王中林1961年出生于陕西省蒲城县，1978年考入西北电讯工程学院（即现在的西安电子科技大学），1982年，他凭借优异的成绩被选中参加李政道教授倡导的中美联合培养物理类研究生计划（CUSPEA），赴美国亚利桑那州立大学学习纳米科学，1987年7月获得物理学博士学位。此后在纽约州立大学石溪分校、英国卡文迪许实验室、美国橡树岭国家实验室及美国国家标准与技术研究所学习和工作。1995年，王中林加入佐治亚理工学院并工作至今。2003年，王中林当选欧洲科学院院士，2009年当选中国科学院外籍院士，2019年当选加拿大工程院国际院士，2022年当选欧洲工程院院士，同年当选美国国家发明家科学院院士。2018年，王中林教授获得世界能源界最高奖埃尼奖，是首位获得该奖项的华人科学家。2019年，王中林教授获得阿尔伯特·爱因斯坦世界科学奖，是首位获得该奖项的华人科学家。据Google Scholar统计，王中林教授的论文引用超30万次，H指数高达267，在全球材料科学总引用数和H指数排名世界第一。在全球最大学术出版商Elsevier和美国斯坦福大学共同公布的最新一期世界“标准化引文指标全科学作者数据库”中，在总排名（职业生涯影响力排名）中，王中林教授排名世界第二，也是前100名科学家中唯一的华人科学家。在年度排名（单年度科学影响力排名）中方面，王中林教授排名世界第一，这也是他自2020年以来连续5年保持年度排名第一。作为纳米能源研究领域的奠基人，王中林教授最重要的贡献是开创了纳米发电机和自供电传感器领域；开创了压电电子学和压电光电子学两大学科，引领了第三代半导体技术的基础研究。此外，2022年1月，王中林教授在 Materials Today 期刊发表论文，对麦克斯韦方程组进行了拓展，其建立的拓展型麦克斯韦方程组，成功地将电磁场理论推广到运动的介质情形，奠定了运动介质电动力学的理论基础。王中林教授的研究和在纳米发电机开发方面的突破，为从环境和生物系统中获取机械能为移动传感器供电奠定了原理和技术路线图。他首次证明纳米发电机起源于麦克斯韦位移电流，使麦克斯韦方程在能量和传感器中的应用中重新焕发生机，这距离基于位移电流的电磁波发明（1865年）已经过去了155年。他对自供电纳米系统的研究激发了学术界和工业界在全球范围内为微纳米系统收集环境能量的努力，这已成为未来传感器网络和物联网的显著学科。他引入压电势门控电荷传输过程来制造应变门晶体管，为新的电子、光电子、传感器和能源科学领域创造了“压电晶体管”和“压电光晶体管”等新概念并进行了开拓性研究。压电晶体管在智能MEMS/NEMS、纳米机器人、人机电子界面和传感器方面具有重要应用。他还发明并开创了在透射电子显微镜（TEM）中测量单根纳米管/纳米线的机械和电学特性的原位技术。
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