图1：展示了三种合金在不同腐蚀溶液中的腐蚀形貌。在NaCl溶液中，三种合金仅发生点蚀；在NaCl+H₂O₂溶液中，高Zn合金（A和B）未发生晶间腐蚀，而低Zn合金（C）发生严重晶间腐蚀，最大深度达148 μm。

图2：展示了三种合金在不同腐蚀溶液中的循环极化曲线、Nyquist图和Bode图。电化学测试结果表明，高Zn合金（A和B）具有更低的腐蚀电流密度和更高的极化电阻，其耐晶间腐蚀性能显著优于低Zn合金（C）。

图3：展示了三种合金晶界析出相的HAADF-STEM图像及EDS面分布与线扫描分析。高Zn合金（A和B）的晶界析出相呈分散分布，Zn/Mg比约为1.7-1.9，对应于MgZn₂相；低Zn合金（C）的晶界析出相呈连续分布，Zn/Mg比约为1.0-1.4，对应于Mg₂Al₄Zn₃相。

图4：展示了A合金和C合金中晶界析出相的高分辨TEM图像及对应的FFT花样。A合金中晶界析出相的衍射斑点标定为MgZn₂相（mp-1124），C合金中晶界析出相的衍射斑点标定为Mg₂Al₄Zn₃相（mp-1189454），确认了两者晶体结构的差异。

图5：展示了DFT和MD计算结果：功函数、固液体系吸附能模型、吸附能数值、2D ELF截面及总态密度图。MgZn₂相具有更弱的吸附能、更强的电子局域化（共价键特征）及更低的费米能级态密度，表明其耐腐蚀性优于Mg₂Al₄Zn₃相。