硕士生一作!中科院宁波材料所,重磅Nature Materials!
2025-08-22 15:58:06 作者:诠释干货 来源:诠释干货 分享至:

 

自旋轨道力矩(SOT)磁控技术是下一代自旋电子器件的核心,传统上依赖自旋霍尔效应(SHE)。然而,轨道霍尔效应(OHE)因其高效磁控潜力近年备受关注。OHE 源于能带固有轨道纹理,电场可诱导轨道角动量(OAM)净流动,再通过自旋-轨道耦合转化为自旋流。尽管实验已证实过渡金属中的 OHE 存在,其外禀散射机制(如无序散射对轨道弛豫和电导率标度关系的影响)仍不明确。理论预测外禀散射会显著调控 OHE,且中心对称体系中可能出现类 Dyakonov-Perel 轨道弛豫(与自旋弛豫机制相反),但缺乏实验验证。

成果简介

中国科学院宁波材料技术与工程研究所汪志明研究员、宁波东方理工大学李润伟教授等研究者以 SrRuO₃(SRO)为模型体系,发现轨道霍尔电导率(σOH)存在非常规标度关系:高σxxσOH恒定,但随σxx降低显著增强,与自旋霍尔效应(SHE)在低σxx下的抑制形成鲜明对比。此行为揭示了类 Dyakonov-Perel 轨道弛豫机制的关键作用。基于此标度关系,通过同步提升σOH和轨道霍尔角实现了增强的轨道力矩,在适度降低σxx时将自旋轨道力矩翻转功耗减少三倍。该工作阐明了外禀无序散射在 OHE 中的主导地位,为高效自旋电子学提供了新范式。

相关研究成果以“Unconventional scaling of the orbital Hall effect”为题,发表在Nature Materials上。宁波材料所硕士研究生彭思阳为第一作者,博士生郑轩为共同第一作者。

图文导读

图1 SRO中OHE和SHE共存

图 1 展示了 SRO 异质结中轨道与自旋霍尔效应的分离策略。作者通过第一性原理计算 SRO 的轨道霍尔电导率(OHC)和自旋霍尔电导率(SHC),发现二者符号相反且 OHC 量级更大(图 1d)。基于 Ru 4d 轨道特征的费米面 k 分辨纹理(图 1e)和 OHC 贡献热点(图 1f)揭示了微观起源。为实验区分 OHE/SHE,作者设计了 SRO/CoPt(强轨道-自旋转换系数ηLS)和 SRO/Py(ηLS可忽略)异质结(图 1a–b)。通过对比二者扭矩,可分离轨道力矩贡献。该设计为后续标度研究提供了关键实验基础。

图2 SRO异质结构中电流诱导自旋和轨道转矩的表征

图 2 展示了 SRO 异质结中电流诱导扭矩的量化方法。作者利用二阶谐波霍尔测量技术(图 2a),通过角度依赖(图 2b,SRO/Py)和磁场依赖(图 2c,SRO/CoPt)分析提取阻尼型有效场HDL。图 2d 显示 SRO/CoPt 的负号扭矩效率(σeff = −2.3×105 h/(2e) Ω−1m−1)显著高于 SRO/Py(σeff = 0.29×105 h/(2e) Ω−1m−1),证实 OHE 主导负性轨道力矩。该方法排除了底层金属堆叠干扰,为精确分离 OHE/SHE 贡献提供了可靠手段。

图3 SRO中OHE的非常规标度

图 3 揭示了 OHE 的非常规标度关系。作者通过改变 SRO 沉积氧压(2–10 Pa)和测量温度调控体电导率σxx(图 3a)。在 SRO/CoPt 中(轨道力矩主导),σeffσxx降低而增大,遵循幂律σeff ∝ σxxαα≈−2.4);而 SRO/Py(自旋力矩主导)则呈现σeff下降的传统行为(图 3b)。通过异质结对比提取的σOH(图 3b 插图)在低σxx区快速增强(σOH ∝ σxxαα≈−2.5))。室温实验进一步验证此标度(图 3c):σxx降低 21% 时,σeff提升 80%,轨道霍尔角σeff提升 12%。该现象归因于类 Dyakonov-Perel 轨道弛豫机制下外禀散射对σOH的增强作用。

图4 SRO/CoPt异质结构中基于轨道转矩的节能磁化开关

图 4 展示了基于轨道力矩的节能磁化翻转。作者在 SRO/CoPt 异质结中施加电流脉冲实现垂直磁化翻转(图 4a)。当 SRO 电导率通过氧压调控降低 20% 时,临界翻转电流密度Jc少至一半(图 4b–c),且Jcθeff呈反比(图 4d)。理论功耗P∝1/(σeffθeff)与实验功率密度PD=Jc2ρxx高度吻合(图 4e),证明σxx适度降低可同步提升σeffθeff,最终实现三倍功耗下降。该结果凸显了 OHE 非常规标度对低功耗自旋电子器件的应用价值。

结论展望

该工作首次实验揭示了 SRO 中轨道霍尔效应的非常规标度关系,证明轨道力矩随σxx降低而显著增强。该标度行为与自旋霍尔效应截然不同,直接指向外禀无序散射和类 Dyakonov-Perel 轨道弛豫的主导作用。利用此关系,磁化翻转电流和能耗显著降低。这些发现凸显了外禀散射在轨道霍尔物理中的核心地位,为设计高效轨道电子器件建立了变革性范式。

文献信息

Peng, S., Zheng, X., Li, S. et al. Unconventional scaling of the orbital Hall effect. Nat. Mater. (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02326-3

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